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Microchip微芯半导体科罗拉多泉校区的8.8亿美元投资将创建一条200毫米的生产线,用于生产SiC碳化硅二极管、MOSFET和模块。 作者:理查德·史蒂文森,《CS》杂志编辑现在,仅仅一个月左右的时间里,另一家主要的电力电子制造商公布了提高碳化硅产能的计划。可以说,在这方面最受关注的芯片制造商是Wolfspeed,该公司正在投入65亿美元扩大生产,包括在美国和瑞士建造新的晶圆厂,以及大规模扩建其在北卡罗来纳州的晶体生长设施。其他朝着类似方向发展的公司包括:Onsemi,该公司正在投资3亿
FPGA、ASIC、GPU等都是常见的芯片类型,它们在性能、功耗、成本等方面各有优势。本文将介绍FPGA与其他类型芯片的比较和竞争优势。 首先,FPGA具有高灵活性和可编程性,可以根据应用需求进行定制化设计,因此适用于需要快速迭代和灵活调整的应用场景。其次,FPGA具有高并行性和可扩展性,能够同时处理多个任务,适用于需要处理大量数据的场景,如视频处理、人工智能等。此外,FPGA还具有低功耗和低成本的优势,适用于需要节能环保的应用场景。 相比之下,ASIC是一种定制化芯片,针对特定应用进行了优化
FPGA(现场可编程门阵列)是一种可编程硬件设备,其设计初衷是提供一种灵活、高效且可定制的集成电路解决方案。FPGA通过在逻辑单元中存储晶体管状态,实现电路的动态配置,从而极大地提高了电路设计的灵活性和效率。 基本概念和原理 FPGA的基本构建块是逻辑单元和内部存储器。逻辑单元构成了可编程逻辑阵列,它们可以被编程以执行各种逻辑操作。内部存储器则用于存储数据和程序,以支持FPGA的运行。FPGA的另一大特点是其并行处理能力,这使得它们在处理大量数据和执行复杂算法方面具有显著优势。 在半导体行业中
STMicroelectronics(意法半导体)推出了多个系列的STM32开发板,每个系列有不同的特点和适用场景。一些常见的STM32开发板包括: STM32 Nucleo系列:这是一个低成本、易于扩展的开发板系列,支持Arduino兼容性,并提供各种外设板和传感器板的插槽。STM32 Discovery系列:这是一个功能强大的开发板系列,具有丰富的外设和传感器,并集成了ST-LINK调试器。STM32 Evaluation系列:这是一个专业评估板系列,可在开发过程中帮助工程师对硬件和软件进
近期,STM32产品家族迎来了五名新成员,分别是无线MCU产品STM32WBA、超低功耗MCU产品STM32U5、主流型MCU产品STM32C0、高性能MCU产品SM32H5,以及MPU微处理器STM32MP13,涉及了目前MCU不同的需求层级,满足不同类型设备的应用需求。 对于小家电、玩具、简单的智能家居控制需求来说,客户一方面可能需要为其配上一块有助于消费者进行控制的屏幕,或是增加传感器来提升感知能力,让设备的功能变得更加丰富。另一方面还要对成本进行有效控制,让产品的最终价格更具竞争力。
碳化硅SIC MOSFET功率半导体的车规可靠性标准比较多,主要有美国汽车电子委员会的AEC标准(主要是针对晶圆)和欧洲电力电子中心的AQG324(针对模块)。今天主要复习AQG324这个标准。 先讨论一个工程逻辑:任何一个新产品,在设计之初就应该考虑其使用的可靠性,设计有缺陷,后期工艺上是很难弥补的,因此,当可靠性测试出现问题时,首先要考虑设计(产品设计,工艺设计)上的问题。因此,可靠性测试实际上也是对产品设计的一个检验。 车规级的碳化硅SIC MOSFET功率半导体,特别是SiC MOSF
近日,Wolfspeed和采埃孚宣布建立战略合作伙伴关系,这种合作关系面向的是移动、工业和能源应用的未来碳化硅SIC半导体系统和设备。对此,半导体咨询公司Yole做了分析。 到 2023 年,汽车行业将占 碳化硅SIC 器件市场的 70% 至 80%。随着产能的提升,碳化硅SIC 器件将更容易用于电动汽车充电器和电源等工业应用,以及绿色能源应用比如光伏和风能。 Yole Intelligence预测全球 SiC 器件产能到 2027 年将增长两倍,排名前五的公司是:STMicroelectro
三安光电,中国领先的半导体公司,近日在互动平台公布了其6英寸碳化硅(SiC)的产能规划。至2023年上半年末,公司已具备1.5万片/月的生产能力,预计在2023年末至2024年初,这一产能将进一步扩大至1.8万-2万片/月。此外,公司的8英寸SiC产品也已开始小批量试生产,并且其衬底产品的良率水平在国内居于前列,并持续稳步提升。 湖南三安半导体项目作为三安光电旗下SiC/GaN电力电子业务的主导者,特别聚焦于SiC领域。该项目于2020年7月启动,总投资高达160亿元,占地面积达1000亩。这
随着科技的飞速发展,功率电子器件作为众多市场领域的核心组件,其材料选择变得尤为关键。长期以来,硅一直是功率电子应用的首选半导体材料,但近年来,随着碳化硅(SiC)技术性能和可靠性的显著提升,SiC器件开始逐渐取代硅的地位。 SiC的出色性能在电动车、白色家电、基础设施、太阳能/可再生能源、数据中心等多个电力电子市场中产生了深远影响。其拥有更大的带隙能量(3.3eV,相比硅的1.1eV)和更高的击穿电压,使得SiC能够创造出更新颖、更高性能的解决方案。 一、SiC vs. Si:显著优势 与硅器

CAT24C256WI

2024-02-06
在现代电子应用中,数据存储是不可或缺的一环。无论是在微控制器中,还是在物联网设备中,非易失性存储器都扮演着重要的角色。其中,CAT24C256WI-GT3,一款来自安森美(onsemi)的串行EEPROM,以其卓越的性能和可靠性,在业界赢得了良好的声誉。 一、深入了解CAT24C256WI-GT3 CAT24C256WI-GT3是一款8脚SOIC封装的256Kb串行EEPROM。它的存储容量为32K字节,每个字节由8位组成,总共可以存储256K字节的数据。这意味着它能够保存大量信息,为各种应用