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- 发布日期:2024-02-12 11:26 点击次数:75
据报道,2023年第二季度,三星电子对DRAM的需求高于预期,导致价格反弹。这可能表明DRAM市场正在触底反弹。此外,随着人工智能、大数据等技术的不断发展,高带宽存储器(HBM)对等高附加值DRAM的需求不断增加,这也将对DRAM市场的发展产生积极影响。
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然而,应该指出的是,DRAM市场的发展受到市场需求、供应、技术进步等多种因素的影响。因此,尽管三星的DRAM需求高于预期,但这并不一定意味着DRAM市场正在经历底部反弹。更详细的市场分析和预测需要参考更多的信息和数据。
高带宽存储器(HBM)基于3D堆栈技术的高性能DRAM,由超微半导体和SK组成 Hynix共同发起。HBM主要用于图形处理器、网络交换和转发设备(如路由器、交换器)等需要高存储带宽的应用。
HBM的特点是高带宽和低延迟,FPGA,半导体芯片,国产FPGA,FPGA替代,FPGA平台可以提供比传统DRAM更高的性能。HBM由于使用多个内存核心和高带宽接口,在内存带宽方面取得了显著的改进。HBM的内存核心数量通常为8个,每个内存核心为128MB,总内存容量为96GB。
HBM在3D堆栈工艺的基础上,将多个裸片垂直堆叠在一起,然后通过TSV(Through Silicon Via,硅通孔)技术将它们连接在一起。这种设计可以显著提高内存容量和带宽,减少芯片占用面积。
HBM有多个版本,包括HBM、HBM2和HBM3。HBM2是2016年JEDEC工业标准的第二代HBM。HBM2提供了更高的带宽和容量,并使用了更小的内存核心。HBM3是第三代HBM,进一步提高了带宽和容量,降低了功耗。
AMDRadeonn是第一个使用HBM的设备 Fury系列显示核心。随后,包括NVIDIATesla在内的许多其他设备也开始使用HBM技术 P100、AMD的Radeon RX Vega系列和IntelKnight Landing等。
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